- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33453 > 2SK2788VYUR 2 A, 60 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK2788VYUR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2 A, 60 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 2SK2788VYUR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2618RCTR | 500 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SK2958(S)TL | 75 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SD788RF | 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SK2247QYTL | 2 A, 30 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2334(S)TR | 20 A, 60 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK2789(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin (3+Tab) TO-220FL/SM |
| 2SK2789-SM(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SK2792 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK2793 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK2796-L(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:60V 5A DPAK-3 制造商:Renesas Electronics 功能描述:60V 5A DPAK-3 Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。