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参数资料
| 型号： | 2SK2825 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | N CHANNEL MOS TYPE (FOR PORTABLE EQUIPMENT HIGH SPEED SWITCH, ANALOG SWITCH APPLICATIONS) |
| 中文描述： | N通道马鞍山型（便携式设备的高速开关，模拟开关应用） |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | 2SK2825 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2827-01 | Power MOSFET |
| 2SK2832-01 | Power MOSFET |
| 2SK2834 | Power MOSFET |
| 2SK2834-01 | Power MOSFET |
| 2SK2835 | High Speed,High Current Switching Application N Channel MOSFET(高速大电流转换用 N沟道 MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK2825(TE85L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
| 2SK2826-Z(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2827-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK2835TP | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 5A 3PIN TPS - Tape and Reel |
| 2SK2837 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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