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参数资料
| 型号： | 2SK2967 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30 A, 250 V, 0.068 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | LEAD FREE, 2-16C1B, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 415K |
| 代理商： | 2SK2967 |
2SK2967
2009-09-29
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2968 | 10 A, 900 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2976TP-FA | 15000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK2976TP | 15000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK2985 | 45 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK2967(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 250V 30A 0.068@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET,Nch,250V/30A/0.068ohm,TO-3P(N) 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 250V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
| 2SK2967F | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 250V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
| 2SK2968 | 功能描述:MOSFET N-Ch 900V 10A Rdson 1.25 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK2968(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 10A 1.25@10V TO3P(N) 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 10A 1.25@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PN 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
| 2SK2968(F,T) | 功能描述:MOSFET N-Ch 900V 10A Rdson 1.25 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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