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参数资料
| 型号： | 2SK3064 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | 2SK3064 |
1
Silicon MOS FETs (Small Signal)
2SK3064
Silicon N-Channel MOS FET
unit: mm
Marking Symbol: 2D
1: Gate
2: Source
3: Drain
EIAJ: SC-70
S-Mini Type Package (3-pin)
2.1±0.1
1
0
0
0
+
–
0
+
–
2
1.25±0.1
0.425
0.425
1
3
2
0
0
0
0
0.2±0.1
Secondary battery pack (Li ion battery, etc.)
For switching
I
Features
G
High-speed switching
G
S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-
matic insertion through the tape/magazine packing.
G
Low-voltage drive (V
th
:
1 to 2V)
G
Low Ron
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Drain to Source voltage
Gate to Source voltage
Drain current
Max drain current
Allowable power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
V
DS
V
GSO
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
stg
Ratings
30
±20
100
200
150
150
55 to +150
Unit
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
I
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Parameter
Drain current
Gate cut-off current
Gate threshold voltage
Forward transfer admittance
Drain to source ON-resistance
Turn-on time
Turn-off time
Symbol
I
DSS
I
GSS
V
th
| Y
fs
|
R
DS(on)
t
on
t
off
Conditions
V
DS
= 30V, V
GS
= 0
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0
V
DS
= 5V, I
D
= 1
μ
A
V
DS
= 5V, I
D
= 10mA
V
DS
= 5V, I
D
= 10mA
V
DD
= 5V, V
GS
= 0 to 5V, R
L
= 200
V
DD
= 5V, V
GS
= 0 to 5V, R
L
= 200
min
1
15
typ
30
150
35
Unit
μ
A
μ
A
V
mS
ns
ns
max
0.1
±1
2
50
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PDF描述 |
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