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参数资料
| 型号： | 2SK3134(S) |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2SK3134(S) |
2SK3134(L),2SK3134(S)
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
30
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
75
A
Drain peak current
I
D(pulse)
Note 1
300
A
Body-drain diode reverse drain current
I
DR
75
A
Avalanche current
I
AP
Note 3
35
A
Avalanche energy
E
AR
Note 3
122
mJ
Channel dissipation
Pch
Note 2
100
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. PW
≤ 10s, duty cycle ≤ 1 %
2. Value at Tc = 25
°C
3. Value at Tch = 25
°C, Rg ≥ 50
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3135(L) | |
| 2SK3135(S) | |
| 2SK3147(L) | |
| 2SK3147(S) | |
| 2SK3150(L) | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3134STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3135 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3135(L) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-262AA |
| 2SK3135L | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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