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参数资料
| 型号： | 2SK3135(L) |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2SK3135(L) |
2SK3134(L),2SK3134(S)
7
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage
V
(V)
SDF
Reverse
Drain
Current
I
(A)
F
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
V
= 0, –5 V
GS
10 V
5 V
100
80
60
40
20
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
VDD
50
Vin
15 V
0
I D
VDS
I AP
V(BR)DSS
L
VDD
E
=
L I
2
1
V
– V
AR
AP
DSS
DD
2
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
200
160
120
80
40
25
50
75
100
125
150
0
Channel Temperature Tch (°C)
Repetitive
Avalanche
Energy
E
(mJ)
AR
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
I
= 35 A
V
= 15 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
AP
DD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SK3135S | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3135STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3136 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3136-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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