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参数资料
| 型号： | 2SK3147(L) |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2SK3147(L) |
2SK3134(L),2SK3134(S)
4
Main Characteristics
160
120
80
0
50
100
150
200
0.1
0.3
1
3
10
30
100
80
60
40
20
0
2
468
10
Channel
Dissipation
Pch
(W)
Case Temperature
Tc (
°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage
V
(V)
DS
Drain
Current
I
(A)
D
Maximum Safe Operation Area
Drain to Source Voltage
V
(V)
DS
Drain
Current
I
(A)
D
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage
V
(V)
GS
Drain
Current
I
(A)
D
Typical Transfer Characteristics
1000
300
100
30
10
1
0.3
0.1
3
Ta = 25
°C
10
s
100
s
1 ms
DC
Operation
(Tc
=
25
°C)
Operation in
this area is
limited by R DS(on)
PW
=
10
ms
(1
shot)
3 V
40
5 V
4 V
2.5 V
100
80
60
40
20
0
12
34
5
Tc = –25
°C
25
°C
75
°C
V
= 10 V
Pulse Test
DS
Pulse Test
V
= 10 V
GS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3147(S) | |
| 2SK3150(L) | |
| 2SK3150(S) | |
| 2SK3161(L) | |
| 2SK3161(S) | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3147-L(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(2) |
| 2SK3147L-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:N-channel MOSFET, 100V,5A,0.1ohm,DPAK-L |
| 2SK3147S | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3147S-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Bulk 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
| 2SK3147STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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