型号: | 2SK3274L-E |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 30 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | DPAK-3 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 127K |
代理商: | 2SK3274L-E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SK3274STL-E | 30 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK3294-ZJ | 20 A, 250 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
2SK3297 | 5 A, 600 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
2SK3312(2-10S1B) | 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK3316 | 5 A, 500 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SK3274S | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Slilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
2SK3277 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:パワーデバイス - パワーMOS FET |
2SK327700L | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK3278 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications |
2SK3279 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC ?R???o?[?^?p |