参数资料
型号: 2SK3274L-E
元件分类: JFETs
英文描述: 30 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装: DPAK-3
文件页数: 1/4页
文件大小: 127K
代理商: 2SK3274L-E
Rev.3.00 May 15, 2006 page 1 of 8
2SK3274 (L), 2SK3274 (S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G1098-0300
Rev.3.00
May 15, 2006
Features
Low on-resistance
RDS (on) = 10 m typ.
4.5 V gate drive device
High speed switching
Outline
D
G
S
2
1
3
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B
(Package name: DPAK (L)-(2) )
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C
(Package name: DPAK (S) )
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
相关PDF资料
PDF描述
2SK3274STL-E 30 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3294-ZJ 20 A, 250 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
2SK3297 5 A, 600 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3312(2-10S1B) 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3316 5 A, 500 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
2SK3274S 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Slilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK3277 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:パワーデバイス - パワーMOS FET
2SK327700L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3278 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications
2SK3279 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC ?R???o?[?^?p