参数资料
型号: 2SK3372G
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 0.47 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封装: ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2, 3 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 201K
代理商: 2SK3372G
2
2SK3372G
SJF00066BED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Y
fs VGS
Y
fs ID
PD Ta
ID VDS
ID VGS
08
4
0
2.0
1.6
1.2
0.4
0.8
Drain-source voltage V
DS (V)
Drain
current
I
D
(mA
)
Ta
= 25°C
VGS
= 0.4 V
0.2 V
0.1 V
0 V
0.3 V
0.1 V
– 0.8
0
– 0.4
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
VDS
= 2 V
Ta
= 25°C
Gate-source voltage V
GS (V)
Forward
transfer
admittance
Y
fs
(mS
)
0
40
120
80
0
120
100
80
60
40
20
Ambient temperature T
a (°C)
Power
dissipation
P
D
(mW
)
– 0.4
0
– 0.2
0
0.4
0.3
0.2
0.1
VDS
= 2 V
Gate-source voltage V
GS (V)
Drain
current
I
D
(mA
)
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
0
300
200
100
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
VDS
= 2 V
Ta
= 25°C
Drain current I
D (A)
Forward
transfer
admittance
Y
fs
(mS
)
相关PDF资料
PDF描述
2SK3374 1 A, 450 V, 4.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3376TK-B 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK3376TK N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK3376TV-B 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK3376TV N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
相关代理商/技术参数
参数描述
2SK3372GRL 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK3372GSL 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK3372GTL 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK3372GUL 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS(开):200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK3373 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications