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参数资料
| 型号： | 2SK3391 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | UPAK-3 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 2SK3391 |
2SK3391
Rev.0, Aug. 2001, page 4 of 7
0.1
0.03
0.3
Drain to Source Saturatioin Voltage vs.
Drain Current
Input Capacitance vs.
Gate to Source Voltage
9
8.5
-10
- 6
- 2
2
610
V
= 0
f = 1 MHz
DS
9.5
10
10.5
GS
V
= 10 V
Pulse Test
1
0.01
0.03
0.1
0.3
1
V
(V)
DS(sat)
Drain
to
Source
Saturation
Voltage
D
Drain Current I
(A)
Input
Capacitance
Ciss
(pF)
GS
Gate to Source Voltage V
(V)
0.01
0.001
0.003
3.6
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
- 25
Ambient Temperature
Ta (
°C)
Gate
to
Source
Cutoff
Voltage
Gate to Source Cutoff Voltage vs.
Ambient Temperature
GS(off)
0
25
50
75
100
125
V
= 13.7 V
DS
10 mA
V
(V)
ID = 0.1
mA
1 mA
75
°C
25
°C
Tc = - 25
°C
Output Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
1
3
10
30
1
10
100
30
3
Output
Capacitance
Coss
(pF)
DS
Drain to Source Voltage V
(V)
0.1
0.3
V
= 0
f = 1 MHz
GS
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