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参数资料
| 型号： | 2SK3430-Z-AZ |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 80 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | 2SK3430-Z-AZ |
Data Sheet D14599EJ3V0DS
4
2SK3430
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
VGS - Gate to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
Pulsed
12
34
5
6
VDS = 10 V
10
1
0.1
100
1000
TA =
40C
25C
75C
150C
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
ID - Drain Current - A
|
y
fs
|
-
Forward
Transfer
Admittance
-
S
0.01
0.1
1
10
100
10
100
0.1
0.01
1
Pulsed
TA = 150C
75C
25C
40C
VDS = 10 V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
ID - Drain Current - A
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
m
5
10
15
20
25
10
1
100
1000
Pulsed
0
VGS = 4.0 V
10 V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Tch - Channel Temperature - C
V
GS(th)
-
Gate
to
Source
Threshold
Voltage
-
V
0.5
VDS = 10 V
ID = 1 mA
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
50
0
50
100
150
0
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
VGS - Gate to Source Voltage - V
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
m
0
4
8
12
16
20
10
Pulsed
20
ID = 40 A
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VDS - Drain to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
0
2
3
4
100
50
150
200
250
300
1
Pulsed
VGS =10 V
4.0 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3430-Z | 80 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3431-Z | 83 A, 40 V, 0.0089 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3431-S | 83 A, 40 V, 0.0089 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
| 2SK3432-ZJ | 83 A, 40 V, 0.0069 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 2SK3432-S-AZ | 83 A, 40 V, 0.0069 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3430-Z-E1-AZ | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.3 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 |
| 2SK3430-ZJ | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| 2SK3431 | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:MOS Field Effect Transistor |
| 2SK3431-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 40V 83A 5.6m@10V TO220AB Bulk |
| 2SK3431-S | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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