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参数资料
| 型号： | 2SK3468 |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD. |
| 英文描述： | N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 中文描述： | N通道功率MOSFET硅 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | 2SK3468 |
3
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.1
1
10
100
I
VSD [V]
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
IF=f(VSD):80μs Pulse test,Tch=25°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
Qg [nC]
Typical Gate Charge Characteristics
VGS=f(Qg):ID=12A, Tch=25°C
480V
300V
Vcc= 120V
2SK3468-01
FUJI POWER MOSFET
t=f(ID):Vcc=300V, VGS=10V, RG=10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
R
Tch [
°
C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=6A,VGS=10V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
max.
min.
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250uA
V
Tch [
°
C]
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1p
10p
100p
1n
10n
C
VDS [V]
Typical Capacitance
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
Crss
Coss
Ciss
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
Typical Switching Characteristics vs. ID
td(on)
tr
tf
td(off)
t
ID [A]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3468-01 | N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3469 | N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3469-01 | N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3469-01MR | N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3471 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSV) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3468-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 500V;RDS(ON) 0.4Ohm;ID +/-14A;TO-220AB;PD 195W;VGS +/-30 |
| 2SK3468-01_03 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3468-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3469 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3469-01 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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