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参数资料
| 型号： | 2SK3483-Z |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 28000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 封装： | TO-252, MP-3Z, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | 2SK3483-Z |
Data Sheet D15068EJ3V0DS
3
2SK3483
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
dT
-
Percentage
of
Rated
Power
-
%
0
20
40
60
80
10 0
12 0
0
25
50
7 5
100 125 150 175
P
T
-
Total
Power
Di
s
ip
ation
-
W
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
25
50
75
100 125 150 175
TC - Case Temperature -
°C
TC - Case Temperature -
°C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
ID
-
Drain
Current
-
A
10
1
0.1
100
0.1
1000
1
10
100
TC = 25C
Single Pulse
1000
R
DS(on)
Limited
(at
V
GS
=
10
V)
ID(pulse) = 60 A
ID(DC) = 28 A
Po
w
er
Dissipation
Limited
DC
PW
=
10
μs
100
μs
1
ms
10
ms
VDS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
rth(t)
-
Transient
Thermal
Resistance
-
°C/W
10
0.01
0.1
1
100
1000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
Single Pulse
10
μ
100
μ
Channel to Ambient
Channel to Case
Rth(ch-A) = 125C/W
Rth(ch-C) = 3.13C/W
PW - Pulse Width - s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3484-AZ | 16000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251 |
| 2SK3484-Z-AZ | 16000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AB |
| 2SK3484 | 16000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251 |
| 2SK3484-AZ | 16000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251 |
| 2SK3491TP-FA | 1000 mA, 600 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3483-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
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| 2SK3483-Z-E2-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3484 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3484-AZ | 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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