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参数资料
| 型号： | 2SK3543 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2 A, 450 V, 2.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | 2-10R1B, SC-67, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 402K |
| 代理商： | 2SK3543 |
2SK3543
2002-09-04
1
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)
2SK3543
Switching Regulator and DC-DC Converter Applications
Motor Drive Applications
Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.9 (typ.)
High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.3 S (typ.)
Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 450 V)
Enhancement-model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Maximum Ratings (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
VDSS
450
V
Drain-gate voltage (RGS = 20 k)
VDGR
450
V
Gate-source voltage
VGSS
±30
V
DC
(Note 1)
ID
2
Drain current
Pulse (Note 1)
IDP
5
A
Drain power dissipation (Tc
= 25°C)
PD
30
W
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
EAS
103
mJ
Avalanche current
IAR
2
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)
EAR
3
mJ
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to150
°C
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Max
Unit
Thermal resistance, channel to case
Rth (ch-c)
4.17
°C/W
Thermal resistance, channel to ambient
Rth (ch-a)
62.5
°C/W
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.
Note 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C (initial), L = 42.8 mH, RG = 25 , IAR = 2 A
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10R1B
Weight: 1.9 g (typ.)
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