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参数资料
| 型号： | 2SK3605-01 |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 31 A, 150 V, 0.105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TFP, 4 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | 2SK3605-01 |
3
2SK3605-01
FUJI POWER MOSFET
VGS=f(Qg):ID=16A, Tch=25°C
IF=f(VSD):80s Pulse test,Tch=25°C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
RDS(on)
[
m
]
Tch [
°C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=8A,VGS=10V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
max.
min.
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250
A
VGS(th)
[V]
Tch [
°C]
0
102030
40
0
2
4
6
8
10
12
14
Qg [nC]
Typical Gate Charge Characteristics
VGS
[V]
Vcc= 75V
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
C
[nF]
VDS [V]
Typical Capacitance
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.1
1
10
100
IF
[A]
VSD [V]
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
RDS(on)=f(ID):80s Pulse test, Tch=25°C
0
10
203040
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
7.0V
6.5V
RDS(on)
[
]
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
10V
20V
8V
7.5V
6.0V
VGS=
5.5V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3607-01MR | 13 A, 200 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK360E | RF SMALL SIGNAL, FET |
| 2SK360D | RF SMALL SIGNAL, FET |
| 2SK360-D | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK360-E | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3606-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 131 Milliohms;ID +/-18A;TO-220AB;PD 105W |
| 2SK3606-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3607 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK3607-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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