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参数资料
| 型号： | 2SK3615-TL |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 12000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | TP-FA, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SK3615-TL |
2SK3615
No.8332-3/4
RDS(on) -- VGS
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ambient Temperature, Ta --
°C
RDS(on) -- Ta
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
0
100
1000
5
7
3
5
7
2
3
30
10
15
20
25
5
IT05217
Crss
Coss
Ciss
f=1MHz
IS -- VSD
Source
Current,
I
S
--
A
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Drain Current, ID -- A
yfs -- ID
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
IT05214
0.01
1.0
0.1
23
5 7
1.0
23
5
7
2
3
5 7 10
7
5
3
2
0.1
5
7
3
2
10
VDS=10V
Ta=
--25
°C
75
°C
25
°C
IT05215
0.6
0.8
0.4
1.0
1.2
0.2
0.01
10
1.0
0.1
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
VGS=0V
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
SW Time -- ID
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Drain Current, ID -- A
10
1.0
0.1
1.0
23
5
7
10
23
5
7
3
5
2
7
3
5
2
7
5
3
2
100
IT05216
VDD=30V
VGS=10V
tf
t r
td(off)
td(on)
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Total Gate Charge, Qg -- nC
VGS -- Qg
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
--
V
A S O
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
0
8
7
9
20
16
14
18
12
10
4
28
6
10
2
1
4
3
6
5
IT09343
VDS=30V
ID=12A
02
4
6
8
40
50
60
70
10
20
30
80
90
100
110
120
130
140
150
0
12
10
14
16
IT09341
Ta=25
°C
ID=6A
30
20
50
40
100
90
80
70
60
110
120
10
IT09342
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
I D
=6A,
V GS
=4V
I D
=6A,
V GS
=10V
2
3
5
7
2
100
1.0
3
5
7
2
3
5
7
10
0.1
23
5 7
2
0.01
0.1
35 7
2
1.0
100
Ta=25
°C
Single pulse
Operation in this area
is limited by RDS(on).
IDP=48A
ID=12A
<
10
s
DC
operation
(T
c=25
°C)
1ms
100ms
10ms
100
s
35 7
2 35 7
10
IT09344
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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