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参数资料
| 型号： | 2SK3651-01R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 25 A, 200 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | 2SK3651-01R |
2
Characteristics
2SK3651-01R
FUJI POWER MOSFET
ID=f(VGS):80s Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
ID=f(VDS):80s Pulse test,Tch=25°C
gfs=f(ID):80s Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
RDS(on)=f(ID):80s Pulse test, Tch=25°C
024
68
10
12
0
20
40
60
80
100
20V
7.0V
10V
8V
6.5V
7.5V
6.0V
ID
[A]
VDS [V]
Typical Output Characteristics
VGS=5.5V
01234
56789
10
0.1
1
10
100
ID[A]
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
gfs
[S]
ID [A]
Typical Transconductance
0
2040
6080
100
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
7.0V
6.5V
RDS(on)
[
]
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
10V
20V
8V
7.5V
6.0V
VGS=
5.5V
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
D
[W
]
Tc [
°C]
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
RDS(on)
[
m
]
Tch [
°C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=12.5A,VGS=10V
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