参数资料
型号: 2SK3812-ZP-E1-AY
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 8/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 110A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.8 毫欧 @ 55A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 16800pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263
包装: 标准包装
其它名称: 2SK3812-ZP-E1-AYDKR
2SK3812
1000
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
100
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
V DD = 30 V
80
R G = 25 ?
V GS = 20 → 0 V
100
10
1
I AS = 63 A
V DD = 30 V
R G = 25 ?
V GS = 20 → 0 V
Starting T ch = 25°C
E AS = 397 mJ
60
40
20
0
I AS ≤ 63 A
0.001
0.01
0.1
1
10
25
50
75
100
125
150
6
L - Inductive Load - mH
Data Sheet D16738EJ1V0DS
Starting T ch - Starting Channel Temperature - °C
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2SK3814-Z-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Bulk