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参数资料
| 型号： | 2SK3815 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 23 A, 60 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 2SK3815 |
2SK3815
No.8053-2/5
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
ID=1mA, VGS=0V
60
V
Zero-Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS=60V, VGS=0V
1
A
Gate-to-Source Leakage Current
IGSS
VGS= ±16V, VDS=0V
±10
A
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=10V, ID=1mA
1.2
2.6
V
Forward Transfer Admittance
yfs
VDS=10V, ID=12A
9
15
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=12A, VGS=10V
42
55
m
RDS(on)2
ID=12A, VGS=4V
60
85
m
Input Capacitance
Ciss
VDS=20V, f=1MHz
775
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=20V, f=1MHz
125
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=20V, f=1MHz
105
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
11
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
85
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
72
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
78
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=30V, VGS=10V, ID=23A
19
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=30V, VGS=10V, ID=23A
2.5
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=30V, VGS=10V, ID=23A
4.1
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=23A, VGS=0V
1.04
1.5
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7513-002
7001-003
Switching Time Test Circuit
Unclamped Inductive Test Circuit
10.2
8.8
11.0
2.7
11.5
(9.4)
20.9
1.6
0.2
1.3
4.5
0.8
0.4
12
3
2.55
1.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : SMP
PW=10s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID=12A
RL=2.5
VDD=30V
VOUT
2SK3815
VIN
10V
0V
VIN
50
≥50
RG
DUT
VDD
L
15V
0V
10.2
8.8
1.5MAX
2.7
9.9
3.0
0.2
1.3
4.5
0.8
1.35
0.4
1.4
1.2
2.55
0 to 0.3
12
3
2.55
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : SMP-FD
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