参数资料
型号: 2SK3820-TL
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: JFETs
英文描述: 26 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装: SMP-FD, 3 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 38K
代理商: 2SK3820-TL
2SK3820
No.8147-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss
VDS=20V, f=1MHz
2150
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=20V, f=1MHz
160
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=20V, f=1MHz
110
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
20
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
34
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
185
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
62
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=50V, VGS=10V, ID=26A
44
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=50V, VGS=10V, ID=26A
7.8
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=50V, VGS=10V, ID=26A
9.8
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=26A, VGS=0V
1.0
1.2
V
Package Dimensions
unit : mm
7513-002
7001-003
Switching Time Test Circuit
Unclamped Inductive Test Circuit
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID=13A
RL=3.85
VDD=50V
VOUT
2SK3820
VIN
10V
0V
VIN
50
15V
0V
≥50
RG
VDD
L
2SK3820
10.2
8.8
11.0
2.7
11.5
(9.4)
20.9
1.6
0.2
1.3
4.5
0.8
0.4
12
3
2.55
1.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : SMP
10.2
8.8
1.5MAX
2.7
9.9
3.0
0.2
1.3
4.5
0.8
1.35
0.4
1.4
1.2
2.55
0 to 0.3
12
3
2.55
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : SMP-FD
相关PDF资料
PDF描述
2SK3820 26 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3824 60 A, 60 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3826 26 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3833 48 A, 100 V, 0.043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3842 75 A, 60 V, 0.0058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
2SK3821-DL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A SMP-FD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3821-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A SMP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3823 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK3824 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK3826 功能描述:MOSFET N-CH 100V 26A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件