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参数资料
| 型号： | 2SK3891-01R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 17 A, 700 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | 2SK3891-01R |
2
Characteristics
2SK3891-01R
FUJI POWER MOSFET
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
PD
[W
]
Tc [
°C]
0
4
8
121620
0
5
10
15
20
25
30
6.0V
20V
10V
8.0V
6.5V
VGS=5.5V
ID
[
A
]
VDS [V]
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80
s pulse test,Tch=25 °C
012
345
67
89
10
0.1
1
10
100
ID
[A
]
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80
s pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
g
fs
[S
]
ID [A]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80
s pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
0
5
10
15
20
25
30
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
6.0V
RDS
(o
n)
[
]
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80
s pulse test,Tch=25°C
10V
20V
8.0V
6.5V
VGS=5.5V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
RD
S
(o
n
)[
]
Tch [
°C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=8.5A,VGS=10V
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