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参数资料
| 型号： | 2SK3983-01L |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2.6 A, 900 V, 6.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | T-PACK(L), 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | 2SK3983-01L |
1
Item
Symbol
Ratings
Unit
Remarks
Drain-source voltage
VDS
900
VDSX
900
Continuous drain current
ID
±2.6
Pulsed drain current
ID(puls]
±10.4
Gate-source voltage
VGS
±30
Repetitive or non-repetitive
IAR
2.6
Non-repetitive
Maximum avalanche energy
EAS
349.1
Repetitive
Maximum avalanche energy
EAR
9.0
Maximum drain-source dV/dt
dVDS/dt
40
Peak diode recovery dV/dt
dV/dt
5
Max. power dissipation
PD
90
1.67
Operating and storage
Tch
+150
temperature range
Tstg
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)
Thermalcharacteristics
2SK3983-01L,S,SJ
FUJI POWER MOSFET
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Features
High speed switching
Low on-resistance
No secondary breadown
Low driving power
Avalanche-proof
Applications
Switching regulators
DC-DC converters
UPS (Uninterruptible Power Supply)
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings
(Tc=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
Test Conditions
Zero gate voltage drain current
IDSS
VDS=900V VGS=0V
VDS=720V VGS=0V
VGS=±30V
ID=1.3A
VGS=10V
ID=1.3A
VDS=25V
VCC=600V ID=1.3A
VGS=10V
RGS=10
V
A
nA
S
pF
nC
V
s
C
ns
Min.
Typ.
Max.
Units
Thermal resistance
Rth(ch-c)
channel to case
Rth(ch-a)
channel to ambient
1.39
75.0
°C/W
Symbol
BVDSS
VGS(th)
IGSS
RDS(on)
gfs
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
QG
QGS
QGD
VSD
trr
Qrr
Item
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
Forward transcondutance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on time ton
Turn-off time toff
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Diode forward on-voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Test Conditions
ID= 250A
VGS=0V
ID= 250A
VDS=VGS
Tch=25°C
Tch=125°C
VDS=0V
VDS=25V
VGS=0V
f=1MHz
VCC=450V
ID=2.6A
VGS=10V
IF=2.6A VGS=0V Tch=25°C
IF=2.6A VGS=0V
-di/dt=100A/s
Tch=25°C
V
A
V
A
mJ
kV/s
W
°C
900
3.0
5.0
25
250
100
4.8
6.4
1.3
2.6
330
495
44
66
2.5
5.0
10.5
15.8
6.5
9.8
28
42
20
30
13
19.5
4.5
6.5
4.3
6.8
1.00
1.50
1.5
4.0
-55 to +150
Outline Drawings [mm]
Equivalent circuit schematic
Gate(G)
Source(S)
Drain(D)
Super FAP-G Series
200511
=
<
VGS=-30V
Note *1
Note *2
Note *3
VDS 900V
Note *4
Tc=25°C
Ta=25°C
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
=
<
Note *1 Tch 150°C
Note *2 Starting Tch=25°C, IAS=1.1A, L=524mH, VCC=100V, RG=50
EAS limited by maximum channel temperrature and avalanche current.
See to ‘Avalanche Energy’ graph.
Note *3 Repetitve rating : Pulse width limited by maximum channel temperature.
See to ‘Transient Thermal impedance’ graph.
Note *4 IF -ID, -di/dt=50A/s, Vcc BVDSS, Tch 150°C
=
<
=
<
=
<
Min.
Typ.
Max.
Units
See to P4
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PDF描述 |
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| 2SK3990-01L | 3 A, 600 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK3990-01S | 3 A, 600 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3992-AZ | 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 2SK3992-ZK-E1 | 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SK3991-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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