- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30622 > 2SK404D 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK404D |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封装： | SPA, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 2SK404D |
2SK404
No.1403-3/4
yfs -- IDSS
Frequency, f -- Hz
NF -- f
Noise
Figure,
NF
--
dB
Noise
Figure,
NF
--
dB
Input
Capacitance,
Ciss
--
pF
Reverse
T
ransfer
Capacitance,
Crss
--
pF
NF -- f
yfs -- ID
Drain Current, ID -- mA
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
mS
Drain Current, IDSS -- mA
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
mS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Crss -- VDS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss -- VDS
10
100
1k
1M
10k
100k
0
2
4
6
8
10
12
14
ITR00689
VDS=5V
ID=3.0mA
Rg=500Ω
1k
Ω
10kΩ
ID=0.1mA
0.3mA
ITR00690
10
100
1k
1M
10k
100k
0
2
4
6
8
10
12
14
VDS=5V
Rg=1k
Ω
3mA
I DS
S
=3.0m
A
5.0mA
10m
A
ITR00685
VDS=5V
f=1kHz
0.1
5
3
2
7
5
3
2
1.0
2
7
10
5
3
2
10
1.0
7
100
7
5
3
2
ITR00686
VDS=5V
VGS=0V
f=1kHz
5
3
2
1.0
2
7
10
5
3
2
10
7
ITR00687
VGS=0V
f=1MHz
2
3
5
7
10
3
5
7
100
1.0
57
10
7
22
33
5
ITR00688
VGS=0V
f=1MHz
2
3
5
7
1.0
3
5
7
10
1.0
57
10
7
22
33
5
Ambient Temperature, Ta --
°C
PD -- Ta
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
--
mW
0
20
40
60
80
100
120
140
0
40
80
120
160
200
240
ITR00691
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4057-ZK-E1-AY | 30 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4057(1)-S27-AY | 30 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 2SK4057-ZK-E2-AY | 30 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4057 | 30 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4062LS | 18 A, 450 V, 0.32 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK404E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 2.5MA I(DSS) | SPAK |
| 2SK404F | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5MA I(DSS) | SPAK |
| 2SK405 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:2SK405 |
| 2SK4057-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4057-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。