参数资料
型号: 2SK4065
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: JFETs
英文描述: 100 A, 75 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装: SMP, 3 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 44K
代理商: 2SK4065
2SK4065
No. A0324-3/5
RDS(on) -- VGS
RDS(on) -- Tc
ID -- VDS
ID -- VGS
IS -- VSD
yfs -- ID
SW Time -- ID
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Case Temperature, Tc --
°C
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Source
Current,
I
S
-
A
IT10701
IT10698
--50
--25
150
IT10703
IT10702
0.1
1.0
23
5
7
100
23
5
7
3
1.0
10
1.4
1.0
0.4
0.2
0.6
1.2
0.8
0
0.01
0.1
5
7
3
2
1.0
5
7
3
2
10
5
7
3
2
100
5
7
3
2
3
7
5
2
3
100
7
5
2
10
35
7
0
25
50
75
100
125
--25
°C
25
°C
Tc
=
75
°C
ID=50A
Single pulse
Tc=75
°C
25
°C
--25
°C
Tc=
--25
°C
25
°C
75
°C
VDS=10V
Single pulse
Tc
=
75
°C
25
°C
--
25
°C
VGS=0V
Single pulse
IT10704
0.1
7 1.0
23
5
2
7 10
35
2
100
1000
3
2
3
5
2
5
7
td(off)
td(on)
VDD=35V
VGS=10V
tr
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.2
1.4
2.0
1.6
1.8
0
20
40
200
120
100
80
160
140
180
60
IT10700
13
2
456
7
10
89
0
30
5
15
10
20
25
0
2
14
6
4
10
8
12
IT10699
0.5
1.5
2.5
4.5
3.5
1.0
2.0
3.0
4.0
0
20
60
40
200
140
120
100
160
180
80
Tc=
25
°C
Single pulse
VGS=3V
10V
6V
VDS=10V
Single pulse
tf
I D
=50
A,
V GS
=4V
I D
=50
A,
V GS
=10V
8V
7 100
35
Single pulse
75
°C
T
c=
--25
°C
25
°C
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
030
10
15
20
25
5
1k
3
2
IT10756
10k
2
3
5
7
5
Ciss
Crss
f=1MHz
Coss
相关PDF资料
PDF描述
2SK4076-ZK-E1-AY 35000 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4090-ZK-E1-AY 64 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4090(1)-S27-AY 64 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
2SK4090-ZK-E1-AY 64 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4091-ZK-E1-AY 30 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
相关代理商/技术参数
参数描述
2SK4065_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
2SK4065-DL-1E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel
2SK4065-DL-1EX 功能描述:MOSFET N-CH 75V TO263-2 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):12200pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.65W(Ta),90W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-263-2 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:800
2SK4065-DL-E 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK4065-E 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube