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参数资料
| 型号： | 2SK4080(1)-S27-AY |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 封装： | LEAD FREE, MP-3-B, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | 2SK4080(1)-S27-AY |
Data Sheet D18214EJ2V0DS
3
2SK4080
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
dT
-
P
ercentage
of
Rated
Power
-
%
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
TC - Case Temperature -
°C
P
T-
Total
P
ower
Dissipation
-
W
0
5
10
15
20
25
30
35
0
25
50
75
100
125
150
175
TC - Case Temperature -
°C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
DRAIN CURRENT vs. CASE TEMPERATURE
I
D
-
Dr
ain
Curr
ent
-
A
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
ID(pulse)
RDS(ON) Limited
(at VGS = 10 V)
Power Dissipation Limited
ID(DC)
1 ms
100
μs
10 ms
TC = 25°C
Single pulse
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-
Dr
ai
nCurr
ent
-
A
0
10
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
TC - Case Temperature -
°C
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
th
(c
h-
A
)
-Transient
Ther
mal
Resistance
-
°C/W
0.1
1
10
100
1000
Rth(ch-a) = 125°C/W
Rth(ch-c) = 4.3°C/W
Single Pulse
PW - Pulse Width - s
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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