型号: | 2SK4194LS |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 6 A, 450 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | TO-220FI(LS), 3 PIN |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 271K |
代理商: | 2SK4194LS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SK4210 | 10 A, 900 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK4213-ZK-E1-AY | 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
2SK425-T1BX13 | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
2SK425-LX13 | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
2SK425-T2BX16 | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SK4195LS | 制造商:SANYO 功能描述:MOSFET, N CH, 500V, 4A, TO-220FI Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 500V 4A TO-220FI 制造商:Sanyo 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FI |
2SK4196LS | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK4196LS_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
2SK4196LS-1E | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.56 欧姆 @ 2.8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):360pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220F-3FS 标准包装:50 |
2SK4197FG | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |