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参数资料
| 型号： | 2SK4209 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 12 A, 800 V, 1.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TO-3PB, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | 2SK4209 |
2SK4209
No. A1516-2/5
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Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=20V, ID=6A
3.4
6.8
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)
ID=6A, VGS=10V
0.83
1.08
Ω
Input Capacitance
Ciss
VDS=30V, f=1MHz
1500
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=30V, f=1MHz
250
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=30V, f=1MHz
87
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
27
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
72
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
260
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
77
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=200V, VGS=10V, ID=12A
75
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=200V, VGS=10V, ID=12A
12
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=200V, VGS=10V, ID=12A
38
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=12A, VGS=0V
0.85
1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7503-004
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
PW=10μs
D.C.≤0.5%
P.G
RGS=50Ω
G
S
D
ID=6A
RL=33.3Ω
VDD=200V
VOUT
2SK4209
VIN
10V
0V
VIN
14.0
15.6
4.8
2.0
20.
0
20.
0
3.
5
2.
6
1.
2
1.
3
15.
0
3.2
1.
4
1.6
1.0
0.6
5.45
12 3
0.6
2.0
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : TO-3PB
50Ω
≥50Ω
RG
VDD
L
10V
0V
2SK4209
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4209 | 12 A, 800 V, 1.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK4227JS | POWER, FET, TO-220AB |
| 2SK435-B | 100 mA, 22 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK435-E | 100 mA, 22 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK435-C | 100 mA, 22 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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