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参数资料
| 型号： | 2SK4209 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 12 A, 800 V, 1.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TO-3PB, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | 2SK4209 |
2SK4209
No. A1516-4/5
A S O
VGS -- Qg
PD -- Tc
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
--
V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Case Temperature, Tc --
°C
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
--
W
PD -- Ta
Ambient Temperature, Ta --
°C
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
--
W
0
20
40
60
80
100
120
3.0
2.5
140
160
2.0
1.5
1.0
0.5
IT14799
IT14798
0.1
2
3
1.0
5
7
2
0.1
100
μs
100ms
10ms
1ms
DC
operation
1.0
10
100
23 5 7
7
2
1000
35
2
35 7
10
3
5
7
5
2
3
ID=12A
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
IDP=24A
0
20
40
60
80
100
140
120
100
120
140
180
190
160
80
60
40
20
200
160
IT14800
080
70
50
60
10
20
30
40
3
10
0
1
4
IT14797
8
9
5
6
7
2
VDS=200V
ID=10A
PW
≤10μs
Tc=25
°C
Single pulse
EAS -- Ta
A
valanche
Ener
gy
derating
factor
--
%
Ambient Temperature, Ta --
°C
0
25
50
75
100
125
150
100
80
60
20
40
120
175
IT10478
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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