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参数资料
| 型号： | 2SK769 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 10 A, 500 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TOP-3, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | 2SK769 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK771-3 | 20 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK771-4 | 20 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK771-3 | 20 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK771-5 | 20 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK772D | 20 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK770 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2A I(D) | SOT-186 |
| 2SK771 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency General-Purpose Amp Applications |
| 2SK771-5-TB-E | 功能描述:JFET N-CH 40V 20MA SCP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK772 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:AF Amp Applications |
| 2SK772D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1.2MA I(DSS) | SPAK |
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