参数资料
型号: 2STW100
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 25 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
封装: ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件页数: 1/7页
文件大小: 111K
代理商: 2STW100
Preliminary data
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March 2010
Doc ID 17235 Rev 1
1/7
7
2STW100
2STW200
Complementary power Darlington transistors
Features
Complementary NPN - PNP transistors
Monolithic Darlington configuration
Applications
Audio power amplifier
DC-AC converter
Low voltage DC motor drive
General purpose switching applications
Description
The devices are manufactured in planar
technology with “base island” layout and
monolithic Darlington configuration.
Figure 1.
Internal schematic diagrams
TO-247
1
2
3
Table 1.
Device summary
Order code
Marking
Package
Packaging
2STW100
TO-247
Tube
2STW200
相关PDF资料
PDF描述
2STW4468 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AA
40-01-B4C-AJMB Dome POWER LED
40-05-015 Package Outline: 48 lead 300 mil SSOP
4000 Toroidal Surface Mount Inductors
400SCFM 20SCFM
相关代理商/技术参数
参数描述
2STW1693 功能描述:两极晶体管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STW1693_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High power PNP epitaxial planar bipolar transistor
2STW1695 功能描述:两极晶体管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STW1695_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High power PNP epitaxial planar bipolar transistor
2STW200 功能描述:达林顿晶体管 Comp Darlington PWR 80V 25A 130W Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel