型号: | 30KPA120B |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 124K |
代理商: | 30KPA120B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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30KPA42B | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
30KPA48CAB | 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
30WQ03FNTRLPBF | 3.5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
31-01USOC | HIGH POWER LED |
31-216-RFX | CABLE TERMINATED, FEMALE-MALE, RF STRAIGHT ADAPTER, JACK-PLUG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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30KPA120-B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Hi-Power Diode Axial RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
30KPA120C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Hi Power Diode 30KPA Axial RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
30KPA120CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Hi Power Diode 30KPA Axial RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
30KPA120CA-B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Hi-Power Diode Axial RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
30KPA120CAE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:30000W, STAND-OFF VOLTAGE = 120V, ? 5%, BI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 30KW 120V 5% BIDIR P600 |