| 型号: | 30KPA33CAE3 |
| 厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类: | 参考电压二极管 |
| 英文描述: | 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数: | 2/3页 |
| 文件大小: | 138K |
| 代理商: | 30KPA33CAE3 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3EZ130D5/TR8 | 130 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| 3EZ6.2D5E3/TR8 | 6.2 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| 3EZ62D5/TR8 | 62 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| 30KPA198AE3TR | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 30KPA42CAE3TR | 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 30KPA33CAE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:30000W, STAND-OFF VOLTAGE = 33V, ? 5%, BI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 30KW 33V 5% BIDIR P600 |
| 30KPA33CA-HR | 功能描述:TVS DIODE 33VWM 58.5VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:30KPA-HR 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):33V 电压 - 击穿(最小值):36.9V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:58.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):517.9A 功率 - 峰值脉冲:30000W(30kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:P600,轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:800 |
| 30KPA33CA-HRA | 功能描述:TVS DIODE 33VWM 58.5VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:30KPA-HRA 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):33V 电压 - 击穿(最小值):36.9V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:58.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):517.9A 功率 - 峰值脉冲:30000W(30kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:P600,轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:800 |
| 30KPA33C-B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Hi-Power Diode Axial RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| 30KPA33CE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:30000W, STAND-OFF VOLTAGE = 33V, ? 10%, BI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 30KW 33V 10% BIDIR P600 |