型号: | 30KPA72AE3 |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 138K |
代理商: | 30KPA72AE3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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30KPA75CATR | 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
3EZ19D5/TR8 | 19 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
3EZ22D5/TR8 | 22 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
3EZ5.1D5/TR8 | 5.1 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
3EZ7.5D5E3/TR8 | 7.5 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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30KPA72AE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:30000W, STAND-OFF VOLTAGE = 72V, ? 5%, UNI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 30KW 72V 5% UNIDIR P600 |
30KPA72A-HR | 功能描述:TVS DIODE 72VWM 114VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:30KPA-HR 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):72V 电压 - 击穿(最小值):80.4V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:114V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):265.8A 功率 - 峰值脉冲:30000W(30kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:P600,轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:800 |
30KPA72A-HRA | 功能描述:TVS DIODE 72VWM 114VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:30KPA-HRA 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):72V 电压 - 击穿(最小值):80.4V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:114V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):265.8A 功率 - 峰值脉冲:30000W(30kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:P600,轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:800 |
30KPA72-B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Hi-Power Diode Axial RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
30KPA72C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Hi Power Diode 30KPA Axial RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |