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参数资料
| 型号： | 31DF2PBF |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | DO-201AD, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | 31DF2PBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 30CTQ050-017PBF | 30 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 30CTQ035-010PBF | 30 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 300HF20MPBF | 300 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 300HFR100PBF | 300 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 30WF10FTRPBF | 3.3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 31DF2Z | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:SUPER FAST RECTIFIERS |
| 31DF3 | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:SUPER FAST RECTIFIERS |
| 31DF4 | 功能描述:整流器 3Amp,400V Ultra Fast Recovery Rect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 31DF4 A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.7V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 |
| 31DF4 B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.7V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:500 |
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