型号: | 3EZ5.6D10 |
厂商: | Electronics Industry Public Company Limited |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | surface mount silicon Zener diodes |
中文描述: | 硅表面贴装齐纳二极管 |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 47K |
代理商: | 3EZ5.6D10 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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3EZ56D10/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 3W 56V 10% DO-41 |
3EZ56D10/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 3W 56V 10% DO-41 |
3EZ56D10E3/TR12 | 功能描述:Zener Diode 56V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):50 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:4,000 |
3EZ56D10E3/TR8 | 功能描述:Zener Diode 56V 3W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56V 容差:±10% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):50 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 42.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1,500 |
3EZ56D2 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Silicon 3 Watt Zener Diode |