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参数资料
| 型号： | 3LP01M |
| 厂商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | P-Channel Silicon MOSFET |
| 中文描述： | P沟道MOSFET的硅 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | 3LP01M |
3LP01M
No.6139-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
10.4
15.4
Unit
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--50mA, VGS=--4V
ID=--30mA, VGS=--2.5V
ID=--1mA, VGS=--1.5V
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--100mA
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--100mA
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--100mA
IS=--100mA, VGS=0
8
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Static Drain-to-Source On-State Resistance
11
27
7.5
5.7
1.8
24
55
120
130
1.43
0.18
0.25
0.83
54
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Marking : XA
1.2
Switching Time Test Circuit
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
0V
--4V
VIN
P.G
50
G
D
ID= --50mA
RL=300
VOUT
VDD= --15V
3LP01M
S
VIN
0
0
--0.01
--0.02
--0.03
--0.04
--0.06
--0.07
--0.08
--0.09
--0.10
--0.4
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
--0.05
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--0.2
--0.6
--1.0
--1.4
--1.8
ID -- VDS
VGS= --1.5V
--3.5V
-.V
--2.0V
-.V
-30V
-25V
0
--0.5
--1.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--4.0
--3.5
0
--0.02
--0.04
--0.06
--0.08
--0.10
--0.12
--0.14
--0.16
--0.18
--0.20
ID -- VGS
VDS= --10V
0
0
--1
--2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--3
5
--4
10
--5
15
20
25
--6
30
--7
--8
--9
IT00079
--10
RDS(on) -- VGS
Ta=25
°
C
ID=30mA
50mA
RDS(on) -- ID
IT00077
IT00080
IT00078
T 2
°
C
25
°
C
7
°
C
S
O
S
O
D
D
Drain Current, ID -- A
--0.01
1.0
--0.1
2
3
5
7
2
3
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
VGS= --4V
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
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PDF描述 |
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| 3LP01N | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
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