参数资料
型号: 3LP01S-TL-E
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 400MA SMCP
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10.4 欧姆 @ 50mA,4V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7.5pF @ 10V
功率 - 最大: 150mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-75,SOT-416
供应商设备封装: SMCP
包装: 带卷 (TR)
3LP01S
--0.10
--0.09
- -3.5V
ID -- VDS
. 5V
--2
--0.20
--0.18
VDS= --10V
ID -- VGS
--0.08
--0.16
--0.07
--0.06
--0.05
--0.04
--0.03
--0.02
--0.01
0
--2.0V
VGS= --1.5V
--0.14
--0.12
--0.10
--0.08
--0.06
--0.04
--0.02
0
25 ° C
0
--0.2
--0.4 --0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
Gate to Source Voltage, VGS -- V
30
Drain to Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT00077
Ta=25 ° C
100
7
RDS(on) -- ID
IT00078
VGS= --4V
25
20
5
3
2
15
--50m A
10
7
T a=75       °C
25 ° C
10
ID= --30m A
5
--25°C
3
5
0
2
1.0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
100
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- ID
IT00079
1000
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- ID
IT00080
7
5
3
2
Ta=75°C
VGS= --2.5V
7
5
3
2
VGS= --1.5V
25 °C
10
7
5
--25 °C
100
7
5
3
2
1.0
3
2
10
Ta=75°C
--25°C
25°C
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
18
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- Ta
IT00081
1.0
7
Drain Current, ID -- mA
| y fs | -- ID
IT00082
VDS= --10V
16
5
VG
mA
30
I D=
50m
I D=
5
--2.
= --
14
12
10
8
--
--
,
A,
S=
V GS
V
4.0
V
3
2
0.1
7
5
Ta= --
2
5 ° C
75 ° C
25°C
6
4
2
3
2
0.01
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT00083
Drain Current, ID -- A
IT00084
No.6681-3/6
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PDF描述
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B32933A3154M FILM CAP 0.15UF 20% 305V MKT X2
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