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参数资料
| 型号： | 40EPS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INPUT RECTIFIER DIODE |
| 中文描述： | 输入整流器二极管 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | 40EPS |
2
40EPS.. SAFE
IR Series
Bulletin I2104 rev. B 10/01
www.irf.com
T
J
Max. Junction Temperature Range
- 40 to 150
°C
T
stg
Max. Storage Temperature Range
- 40 to 150
°C
R
thJC Max. Thermal Resistance Junction
0.6
°C/W
DCoperation
to Case
R
thJA Max. Thermal Resistance Junction
40
°C/W
toAmbient
R
thCS Typical Thermal Resistance, Case to
0.2
°C/W
Mounting surface , smooth and greased
Heatsink
wt
Approximate Weight
6 (0.21)
g(oz.)
T
MountingTorque
Min.
6 (5)
Max.
12 (10)
CaseStyle
TO-247AC
JEDEC(Modified)
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
40EPS..
Units
Conditions
Kg-cm
(Ibf-in)
Voltage Ratings
Part Number
V
RRM , maximum
V
RSM , maximum non repetitive
I
RRM
peak reverse voltage
150°C
VV
mA
40EPS08
800
900
1
40EPS12
1200
1300
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
1.1
V
@ 40A, T
J =
25°C
r
t
Forward slope resistance
7.16
m
VF(TO) Threshold voltage
0.74
V
I
RM
Max. Reverse Leakage Current
0.1
T
J =
25 °C
1.0
TJ = 150 °C
Electrical Specifications
Parameters
40EPS..
Units
Conditions
T
J =
150°C
V
R = rated VRRM
mA
I
F(AV) Max. Average Forward Current
40
A
@ T
C = 105° C, 180° conduction half sine wave
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
400
10ms Sine pulse, rated VRRMapplied
SurgeCurrent
475
10msSine pulse,novoltagereapplied
I2t
Max. I2t for fusing
800
10ms Sine pulse, rated V
RRMapplied
1131
10msSinepulse,novoltagereapplied
I2
√t Max. I2√tforfusing
11310
A2
√s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
Absolute Maximum Ratings
Parameters
40EPS..
Units
Conditions
A
A2s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 40ETF12PbF | INPUT RECTIFIER DIODE |
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| 40HF10M | STANDARD RECOVERY DIODES |
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参数描述 |
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