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参数资料
| 型号： | 41LV16100B |
| 厂商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 中文描述： | 100万× 16（16兆）动态与江户页面模式内存 |
| 文件页数： | 8/22页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | 41LV16100B |
IS41LV16100B
16
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. B
04/13/05
ISSI
EDO-PAGE-MODE READ-EARLY-WRITE CYCLE (Pseudo READ-MODIFY WRITE)
tRASP
tRP
ADDRESS
UCAS/LCAS
RAS
Row
tCRP
tRCD
tPC
tCSH
tCP
tCAH
tCAS
tRAL
tRSH
tCP
tACH
tRAH
tRAD
tAR
tASR
Column (A)
Column (N)
tCAH
Column (B)
tASC
tCAS
OE
I/O
WE
tASC
tCAC
tRCH
tDH
Open
Valid Data (A)
tOE
tWCS
tCAC
tCOH
DIN
tCPA
tWCH
tRAC
tAA
tPC
Valid Data (B)
tWHZ
tDS
tRCS
tAA
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PDF描述 |
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参数描述 |
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