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参数资料
型号： 47L160D
厂商： International Rectifier
英文描述： STANDARD RECOVERY DIODES
中文描述： 标准恢复二极管
文件页数： 2/7页
文件大小： 67K
代理商： 47L160D
45L(R)..D Series
2
www.irf.com
Bulletin I2030 rev. A 11/94
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
Voltage
V
RRM
, maximum repetitive
V
RSM
, maximum non-
I
RRM
max.
Type number
Code
peak reverse voltage
repetitive peak rev. voltage
@ T
J = TJ max.
VV
mA
120
1200
1440
160
1600
1920
45L(R)..D
40
Forward Conduction
I
F(AV)
Max. average forward current
150
A
180° conduction, half sine wave
@ Case temperature
150
°C
I
F(RMS)
Max. RMS forward current
235
A
DC @ 142°C case temperature
I
FSM
Max. peak, one-cycle forward,
3570
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
3740
t = 8.3ms
reapplied
3000
t = 10ms
100% V
RRM
3140
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal half wave,
I2 t
Maximum I2t for fusing
64
t = 10ms
No voltage
Initial T
J = TJ max.
58
t = 8.3ms
reapplied
45
t = 10ms
100% V
RRM
41
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
640
KA2
√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
F(TO)1
Low level value of threshold
voltage
V
F(TO)2
High level value of threshold
voltage
r
f1
Low level value of forward
slope resistance
r
f2
High level value of forward
slope resistance
V
FM
Max. forward voltage drop
1.33
V
I
pk
= 471A, T
J
= 25°C, t
p
= 10ms sinusoidal wave
Parameter
45L(R)..D
Units
Conditions
KA2s
A
V
m
0.91
(I > x
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
1.42
(16.7% x
π x I
F(AV)
< I <
π x I
F(AV)
), T
J
= T
J
max.
0.83
(I > x
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
0.67
(16.7% x
π x I
F(AV)
< I <
π x I
F(AV)
), T
J
= T
J
max.
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PDF描述
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47L80 STANDARD RECOVERY DIODES Stud Version
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参数描述
47L16-E/P 功能描述:IC EERAM 16KBIT 1MHZ 8DIP 制造商:microchip technology 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:EERAM 存储容量:16K（2K x 8） 速度:1MHz 接口:I2C，2 线串口 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:60
47L16-E/SN 功能描述:IC EERAM 16KBIT 1MHZ 8SOIC 制造商:microchip technology 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:EERAM 存储容量:16K（2K x 8） 速度:1MHz 接口:I2C，2 线串口 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:100
47L16-E/ST 功能描述:IC EERAM 16KBIT 1MHZ 8TSSOP 制造商:microchip technology 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:EERAM 存储容量:16K（2K x 8） 速度:1MHz 接口:I2C，2 线串口 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP 标准包装:100
47L16-I/P 功能描述:IC EERAM 16KBIT 1MHZ 8DIP 制造商:microchip technology 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:EERAM 存储容量:16K（2K x 8） 速度:1MHz 接口:I2C，2 线串口 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:60
47L16-I/S16K 功能描述:SERIAL EEPROM WAFER 制造商:microchip technology 系列:- 零件状态:在售 存储器类型:非易失 存储器格式:EERAM 技术:EEPROM，SRAM 存储容量:16Kb （2K x 8） 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字，页:1ms 访问时间:400ns 存储器接口:I2C 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 标准包装:5,000
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