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参数资料
| 型号： | 4AC14 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused |
| 中文描述： | 硅npn型三重扩散 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 4AC14 |
4AC14
5
0.02
0.1
10
1.0
Time t
Thermal
resistance
θ
j-c
(
°C/W)
0.01
0.1
1.0
10 (s)
0.01
0.1
1.0
10 (ms)
Transient Thermal Resistance
TC = 25°C
10
ms
to
10
s
10
s to
10
ms
Emitter to collector diode forward voltage VECF (V)
Diode
current
I
D
(A)
0
Typical Characteristics of
Emitter to Collector Diode
TC = 25°C
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
2
3
4
5
Unit: mm
26.5
± 0.3
1.82
2.54
1.4
1.2
0.55
1.5
± 0.2
0.55
± 0.1
4.0
± 0.2
10.0
±0.3
10.5
±0.5
2.5
1234
56
7
89
10
1
10
Pin No.
Electrode
Note: B:
C:
E:
Base
Collector
Emitter
1
E
2
B
3
C
4
B
5
C
6
B
7
C
8
B
9
C
10
E
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PDF描述 |
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