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参数资料
| 型号： | 4AM17 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N/P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅N / P系列沟道MOS FET高速电源开关 |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 4AM17 |
4AM17
Silicon N/P Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-729 (Z)
1st. Edition
February 1999
Features
Low on-resistance
N Channel:
R
DS(on) ≤0.17 , VGS = 10 V, ID = 4 A
P Channel :
R
DS(on) ≤ 0.2 , VGS = –10 V, ID = –4 A
4 V gate drive devices.
High density mounting
Outline
1 2
3 4
5 6
7 8
9
1011
12
SP-12
1
G
S 3
5
G
8
G
12
G
2
D
4
D
9
D
11
D
S 6
S 7
S 10
1, 5, 8, 12. Gate
2, 4, 9, 11. Drain
3, 6, 7, 10. Source
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