型号: | 4N25-X009 |
厂商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
元件分类: | 电容 |
英文描述: | Tantalum Chip Capacitor |
中文描述: | 钽芯片电容器 |
文件页数: | 1/9页 |
文件大小: | 157K |
代理商: | 4N25-X009 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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4N25GVSERIES | Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits |
4N25GV | Optocoupler with Phototransistor Output |
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4N25MTB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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4N25-X009T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
4N25-X016 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
4N25-X017 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
4N25-X017T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
4N25XSM | 制造商:Isocom Components 功能描述:OPTOCOUPLER SMDIP-6 TR O/P |