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参数资料
| 型号： | 4N25MS |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | SURFACE MOUNT, DIP-6 |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 277K |
| 代理商： | 4N25MS |
4NXXM,
H11AXM
General
Purpose
6-Pin
Phototransistor
Optocoupler
s
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
4NXXM, H11AXM Rev. 1.0.0
2
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C unless otherwise specied)
Electrical Characteristics (TA = 25°C unless otherwise specied)
Individual Component Characteristics
Isolation Characteristics
*Typical values at TA = 25°C
Symbol
Parameter
Value
Units
TOTAL DEVICE
TSTG
Storage Temperature
-55 to +150
°C
TOPR
Operating Temperature
-55 to +100
°C
TSOL
Wave solder temperature (see page 8 for reow solder prole)
260 for 10 sec
°C
PD
Total Device Power Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25°C
250
mW
2.94
EMITTER
IF
DC/Average Forward Input Current
60
mA
VR
Reverse Input Voltage
6
V
IF(pk)
Forward Current – Peak (300s, 2% Duty Cycle)
3
A
PD
LED Power Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25°C
120
mW
1.41
mW/°C
DETECTOR
VCEO
Collector-Emitter Voltage
30
V
VCBO
Collector-Base Voltage
70
V
VECO
Emitter-Collector Voltage
7
V
PD
Detector Power Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25°C
150
mW
1.76
mW/°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.*
Max.
Unit
EMITTER
VF
Input Forward Voltage
IF = 10mA
1.18
1.50
V
IR
Reverse Leakage Current
VR = 6.0V
0.001
10
A
DETECTOR
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 1.0mA, IF = 0
30
100
V
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100A, IF = 0
70
120
V
BVECO
Emitter-Collector Breakdown Voltage
IE = 100A, IF = 0
7
10
V
ICEO
Collector-Emitter Dark Current
VCE = 10V, IF = 0
1
50
nA
ICBO
Collector-Base Dark Current
VCB = 10V
20
nA
CCE
Capacitance
VCE = 0V, f = 1 MHz
8
pF
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min.
Typ.*
Max.
Units
VISO
Input-Output Isolation Voltage
f = 60Hz, t = 1 sec
7500
Vac(pk)
RISO
Isolation Resistance
VI-O = 500 VDC
1011
CISO
Isolation Capacitance
VI-O = &, f = 1MHz
0.2
2
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N28MT | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N25MSV | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N25MSR2 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N26MTV | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N27MTV | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N25MTA-V | 制造商:EVERLIGHT 制造商全称:Everlight Electronics Co., Ltd 功能描述:6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N25MTB-V | 制造商:EVERLIGHT 制造商全称:Everlight Electronics Co., Ltd 功能描述:6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N25M-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N25S | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 PTR 20%, 2.5KV RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N25S(TA) | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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