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参数资料
| 型号： | 4N25V |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Optocoupler with Phototransistor Output |
| 中文描述： | 与光电晶体管光电耦合器输出 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | 4N25V |
4N25(G)V/ 4N35(G)V Series
Vishay Telefunken
Rev. A4, 11–Jan–99
89
Maximum Safety Ratings (according to VDE 0884) see figure 1
This device is used for protective separation against electrical shock only within the maximum safety ratings.
This must be ensured by using protective circuits in the applications.
Input (Emitter)
Parameters
Test Conditions
Symbol
Value
Unit
Forward current
Isi
130
mA
Output (Detector)
Parameters
Test Conditions
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
Tamb ≤ 25°C
Psi
265
mW
Coupler
Parameters
Test Conditions
Symbol
Value
Unit
Rated impulse voltage
VIOTM
6
kV
Safety temperature
Tsi
150
Insulation Rated Parameters (according to VDE 0884)
Parameter
Test Conditions
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Partial discharge test voltage –
Routine test
100%, ttest = 1 s
Vpd
1.6
kV
Partial discharge test voltage – tTr = 60 s, ttest = 10 s,
VIOTM
6
kV
gg
Lot test (sample test)
Tr
test
(see figure 2)
Vpd
1.3
kV
Insulation resistance
VIO = 500 V
RIO
1012
W
VIO = 500 V,
Tamb = 100°C
RIO
1011
W
VIO = 500 V,
Tamb = 150°C
(construction test only)
RIO
109
W
0
25
50
75
125
0
50
100
150
200
300
P
–
T
otal
Power
Dissipation
(
mW
)
tot
Tsi – Safety Temperature ( °C )
150
94 9182
100
250
Phototransistor
Psi ( mW )
IR-Diode
Isi ( mA )
Figure 1. Derating diagram
V
IOTM
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
V
t
4
t
3
t
test
t
stres
t
2
t
1
t
0
13930
t
Tr
= 60 s
t
1
, t
2
= 1 to 10 s
t
3
, t
4
= 1 s
t
test
= 10 s
t
stres
= 12 s
Figure 2. Test pulse diagram for sample test according to
DIN VDE 0884
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N25 | Industry Standard Single Channel 6 Pin DIP Optocoupler |
| 4N25 | Optocoupler |
| 4N26-X006 | Tantalum Chip Capacitor |
| 4N26-X007 | Tantalum Chip Capacitor |
| 4N26-X009 | Tantalum Chip Capacitor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N25-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N25V037 | 制造商:Motorola 功能描述:_ |
| 4N25VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N25V-M | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
| 4N25VS | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER |
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