参数资料
型号: 4N32S(TB)
厂商: EVERLIGHT ELECTRONICS CO LTD
元件分类: 光电耦合器
英文描述: 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER
封装: ROHS COMPLIANT, SURFACE MOUNT, DIP-6
文件页数: 7/13页
文件大小: 324K
代理商: 4N32S(TB)
6 PIN PHOTODARLINGTON
PHOTOCOUPLER
Everlight Electronics Co., Ltd.
3
http://www.everlight.com
Document No:DPC-0000021
Rev. 1
February 5, 2009
TIL113
4NXX Series
H11BX Series
Electrical Characteristics (Ta=25°C unless specified otherwise)
Input
Parameter
Symbol
Min.
Typ.*
Max.
Unit
Condition
Forward voltage
VF
-
1.2
1.5
V
IF = 10mA
IF = 50mA for H11B3
Reverse current
IR
-
10
A
VR = 6V
Input capacitance
Cin
-
50
-
pF
V = 0, f = 1MHz
Output
Parameter
Symbol
Min.
Typ.*
Max.
Unit
Condition
Collector-Emitter dark
current
ICEO
-
100
nA
VCE = 10V
Collector-Emitter
breakdown voltage
BVCEO
55
-
V
Ic=1mA
Collector-Base
breakdown voltage
BVCBO
55
-
V
IC=0.1mA
Emitter-Collector
breakdown voltage
BVECO
7
-
V
IE=0.1mA
* Typical values at Ta = 25°C
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PDF描述
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4N32SVM 功能描述:晶体管输出光电耦合器 PHOTO DARL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
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4N32V 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk