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参数资料
| 型号： | 4N32TVM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6DIP |
| 产品目录绘图： | Opto 6-DIP Package |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 2500VDC |
| 电流传输比（最小值）： | 500% @ 10mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 150mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 80mA |
| Vce饱和（最大）： | 1V |
| 输出类型： | 有基极的达林顿晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.400"，10.16mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
September 2009
4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M, TIL113M
General Purpose 6-Pin Photodarlington Optocoupler
Features
■ High sensitivity to low input drive current
■ Meets or exceeds all JEDEC Registered
Speci?cations
■ UL, C-UL approved, File #E90700, Volume 2
■ IEC 60747-5-2 approved (ordering option V)
Applications
■ Low power logic circuits
■ Telecommunications equipment
■ Portable electronics
■ Solid state relays
■ Interfacing coupling systems of different potentials
and impedances
Schematic
Description
The 4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M and
TIL113M have a gallium arsenide infrared emitter
optically coupled to a silicon planar photodarlington.
ANODE 1
6 BASE
6
1
6
CATHODE 2
N/C 3
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
4NXXM, H11B1M, TIL113M Rev. 1.0.3
5 COLLECTOR
4 EMITTER
6
1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KX14-80K8DE | CONN RCPT 0.8MM 80POS SMD GOLD |
| 4310R-101-271LF | RES ARRAY 270 OHM 9 RES 10-SIP |
| AE14B-50-ND | CABLE 14 COND MULTI 50' RIBBON |
| 4310R-101-562LF | RES ARRAY 5.6K OHM 9 RES 10-SIP |
| 208062-7 | CONN COMMONING DEVICE 36POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N32V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32W | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32-X000 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Single CTR >500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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