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参数资料
型号： 4N32W
厂商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： 光电耦合器
英文描述： GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS
中文描述： 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER
封装： DIP-6
文件页数： 13/16页
文件大小： 353K
代理商： 4N32W
4N29,
4N30,
4N31,
4N32,
4N33
General
Purpose
6-Pin
Photodarlington
Optocoupler
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
4N29, 4N30, 4N31, 4N32, 4N33 Rev. 1.0.1
6
Typical Performance Curves (Continued)
NORMALIZED
t
on
-
(t
on(R
BE
)/
t
on(open)
)
NORMALIZED
t
on
-
(t
on(R
BE
)/
t
on(open)
)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Fig. 15 Normalized ton vs. RBE
(Black Package)
Fig. 16 Normalized ton vs. RBE
(White Package)
RBE- BASE RESISTANCE (k )
10
100
1000
10000
100000
10
100
1000
10000
100000
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VCC = 10 V
IC = 2 mA
RL = 100
VCC = 10 V
IC = 2 mA
RL = 100
SWITCHING
SPEED
-
(
s)
Fig. 14 Switching Speed vs. Load Resistor
(White Package)
R-LOAD RESISTOR (k
)
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
Toff
IF = 10 mA
VCC = 10 V
TA = 25°C
Tr
Ton
Tf
Fig. 13 Switching Speed vs. Load Resistor
(Black Package)
R-LOAD RESISTOR (k
)
0.1
1
10
100
SWITCHING
SPEED
-
(
s)
0.1
1
10
100
1000
Toff
IF = 10 mA
VCC = 10 V
TA = 25°C
Tr
Ton
Tf
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
VCC = 10 V
IC = 2 mA
RL = 100
VCC = 10 V
IC = 2 mA
RL = 100
NORMALIZED
t
off
-
(t
off(R
BE
)/
t
off(open)
)
NORMALIZED
t
off
-
(t
off(R
BE
)/
t
off(open)
)
Fig. 17 Normalized toff vs. RBE
(Black Package)
10
100
1000
10000
100000
RBE- BASE RESISTANCE (k )
10
100
1000
10000
100000
RBE- BASE RESISTANCE (k )
Fig. 18 Normalized toff vs. RBE
(White Package)
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PDF描述
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4N32-X001 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
4N32-X006 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
4N32-X007 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
4N32-X007T 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
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