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参数资料
| 型号： | 4N35-060E |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-6 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | 4N35-060E |
6
Figure 4. Current transfer ratio vs. forward current.
Figure 5. Collector current vs. collector-emitter volt-
age.
Figure 6. Relative current transfer ratio vs. tempera-
ture.
Figure 7. Collector-emitter saturation voltage vs.
temperature.
Figure 8. Collector dark current vs. temperature.
Figure 9. Response time vs. load resistance.
I C
–
COLLECTOR
CURRENT
–
mA
0
VCE – COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE – V
10
15
20
10
30
5
0
4N35 fig 5
PC (MAX.)
TA = 25°C
IF = 15 mA
IF = 10 mA
IF = 5 mA
IF = 2 mA
RELATIVE
CURRENT
TRANSFER
RATIO
–
%
0
100
50
150
4N35 fig 6
VCE = 10 V
IF = 10 mA
TA – AMBIENT TEMPERATURE – °C
-25
75
25
0
50
100
-55
V
CE(SAT.)
–
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
–
V
0
TA – AMBIENT TEMPERATURE – °C
-25
75
25
0.04
0.12
0
50
100
-55
0.08
4N35 fig 7
0.02
0.06
0.10
IC = 2 mA
IF = 50 mA
RESPONSE
TIME
–
s
0.1
RL – LOAD RESISTANCE – k
0.1
5
1
0.5
0.2
0.5
100
0.2
2
10
0.05
2
4N35 fig 9
20 50
VCE = 10 V
IC = 2 mA
TA = 25°C
tf
tr
1
5
10
20
50
200
td
ts
I CE
O
–
COLLECTOR
DARK
CURRENT
–
A
10-13
-25
80
125
40
20
60
100
-55
4N35 fig 8
TA – AMBIENT TEMPERATURE – °C
VCE = 10 V
10-12
10-11
10-10
10-9
10-8
10-7
10-6
5
CTR
–
CURRENT
TRANSFER
RATIO
–
%
0
IF – FORWARD CURRENT – mA
0.2
5
100
1
20
60
180
0.5
2
10
0.1
140
4N35 fig 4
VCE = 10 V
TA = 25°C
20
50
500 k
100 k
40
80
120
160
RBE =
Figure 11. Collector-emitter saturation voltage vs.
forward current.
Figure 10. Frequency response.
VOLTAGE
GAIN
AV
–
dB
-20
f – FREQUENCY – kHz
1
20
500
-5
5
-15
-10
5
2
10
50
0.5
0
4N35 fig 10
100 200
RL = 10 k
VCE = 5 V
IC = 2 mA
TA = 25°C
RL = 1 k
RL = 100
0
IF – FORWARD CURRENT – mA
10
15
2
7
5
0
4N35 fig 11
1
3
4
5
6
V
CE(SAT.)
–
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
–
V
TA = 25°C
IC = 0.5 mA
IC = 1 mA
IC = 2 mA
IC = 3 mA
IC = 6 mA
IC = 7 mA
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PDF描述 |
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| 4N35-300E | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 3550 Vrms 60mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-300E | 制造商:Avago Technologies 功能描述:Optocoupler |
| 4N35300W | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35-360E | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 3550 Vrms 60mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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