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参数资料
型号： 4N35-W60E
元件分类： 光电耦合器
英文描述： 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封装： 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-6
文件页数： 3/7页
文件大小： 229K
代理商： 4N35-W60E
3
Package Outline Drawings
4N35-060E
4N35-W00E
4N35-300E
Y Y W W
6.5 ± 0.5
(0.256)
3.5 ± 0.5
(0.138)
3.3 ± 0.5
(0.13)
0.5 TYP.
(0.02)
0.5 ± 0.1
(0.02)
2.54 ± 0.25
(0.1)
2.8 ± 0.5
(0.110)
7.3 ± 0.5
(0.287)
7.62 ± 0.3
(0.3)
0.26
(0.010)
7.62 ~ 9.98
LEAD FREE
ANODE
DATE CODE
A 4N35 V
DIMENSIONS IN MILLIMETERS AND (INCHES)
Y Y W W
6.5 ± 0.5
(0.256)
3.5 ± 0.5
(0.138)
0.5 ± 0.1
(0.02)
2.54 ± 0.25
(0.1)
2.8 ± 0.5
(0.110)
7.3 ± 0.5
(0.287)
7.62 ± 0.3
(0.3)
0.26
(0.010)
10.16 ± 0.5
(0.4)
LEAD FREE
ANODE
DATE CODE
A 4N35
6.9 ± 0.5
(0.272)
2.3 ± 0.5
(0.09)
DIMENSIONS IN MILLIMETERS AND (INCHES)
1.2 ± 0.1
(0.047)
2.54 ± 0.25
(0.1)
7.3 ± 0.5
(0.287)
7.62 ± 0.3
(0.3)
0.26
(0.010)
10.16 ± 0.3
(0.4)
1.0 ± 0.25
(0.39)
DATE CODE
Y Y W W
6.5 ± 0.5
(0.256)
LEAD FREE
ANODE
A 4N35
3.5 ± 0.5
(0.138)
0.35 ± 0.25
(0.014)
DIMENSIONS IN MILLIMETERS AND (INCHES)
4N35-000E
Y Y W W
6.5 ± 0.5
(0.256)
3.5 ± 0.5
(0.138)
3.3 ± 0.5
(0.13)
0.5 TYP.
(0.02)
0.5 ± 0.1
(0.02)
2.54 ± 0.25
(0.1)
2.8 ± 0.5
(0.110)
7.3 ± 0.5
(0.287)
7.62 ± 0.3
(0.3)
0.26
(0.010)
7.62 ~ 9.98
LEAD FREE
ANODE
DATE CODE
A 4N35
DIMENSIONS IN MILLIMETERS AND (INCHES)
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4N35-X001 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
4N35-X006 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
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